在过去几天中，英特尔宣布了雄心勃勃的IDM 2.0战略。 它将投资200亿美元建立两个半导体晶圆厂。 7nm工艺将在2023年量产。目标是重返半导体领导地位。 在14nm节点之前，尤其是在22nm第一个3D晶体管FinFET工艺之后，可以说英特尔是2014年之前世界上最先进的半导体工厂。官方的PPT曾经说过，他们比朋友晚了至少3.5年。 考虑到当时三星和台积电的情况，英特尔的说法是正确的。
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当然，最近几年情况发生了变化。 尽管14nm工艺的性能非常好，但从2014年至今已经使用了7年。 台积电三星在过去几年中已从28nm升级到5nm，并将于明年量产3nm工艺。 向上。
英特尔今年的主力军将是10nm，下一个节点7nm原定于2021年，但投票将被跳过至2023年。第一个CPU产品将是Meteor Lake，它将在今年第二季度成为Tape，这意味着设计工作将完成，并将很快进入Tapeout阶段。
英特尔的7nm工艺怎么样？ 目前还没有明确的消息，但是主要工业站点Anandtech的主编Ian Cutress发布了一些比较不同工艺的晶体管密度的数据，如下所示：
台积电的5nm工艺密度为1.71亿个晶体管/ mm2，3纳米制程可以达到2.9亿个晶体管/ mm2，而英特尔的10纳米制程可以达到1.01亿个晶体管/ mm2，而7纳米节点可以达到2-2.5亿个晶体管/ mm2。
相比之下，英特尔的7纳米制程在最高水平上与台积电的3纳米制程非常接近。 即使它在2023年问世，在这个水平上也不会比台积电差多少，不像目前的14nm和10nm制程要远远领先于TSMC的7nm和5nm制程。 。
当然，以上都是极端水平。 实际性能取决于处理器的具体情况，但是现在这些数据足以表明英特尔的7nm工艺不可低估。 耐心地等待了两年，也许英特尔真的是国王的回归。